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碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置

碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 百度学术

碳化硅MOSFET并联主动均流的研究. 来自知网. 喜欢 0. 阅读量：. 275. 作者：. 张永刚. 摘要：. 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升 2014年10月31日碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试, 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度学术

碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴

2015年8月26日内容提示：碳化硅 MOSFET 并联均流的研究王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1 （1浙江大学电气工程学院，杭州 310027）摘要碳化硅（SiC）材料是一种 2021年11月24日分类号：TN386单位代码：10058硕士学位论文论文题目：碳化硅MOSFET并联主动均流的研究学科专业：电气工程作者姓名：张永刚指导教师：宁平凡碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 道客巴巴

SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术

在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库

一种碳化硅MOSFET的并联均流结构--中国科学院电工研究所

2019年1月16日一种碳化硅MOSFET的并联均流结构. 中国科学院电工研究所（以下简称电工所）于1958年在北京开始筹建，迄今已有50余年的历史，是我国目前从事电气科学研 2020年12月1日均流测试与分析利用上面所述搭建的平台，对SiCMOSFET进行了并俩均流测试,包括静态均流和动态均流.同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题,本次研究还对碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 豆丁网

一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 - X技术网

2019年6月11日本发明与现有技术相比，优点在于： 1、保证驱动信号的一致性，防止碳化硅mosfet误开通； 2、保证碳化硅mosfet开通时长一致，从而达到均流； 3、工程实现较 5 天之前碳化硅功率模块的优点. 赛米控丹佛斯的混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和赛米控丹佛斯封装技术的优点。. 得益于多种封装优化，碳碳化硅功率模块的 (SiC) 赛米控丹佛斯 - Semikron Danfoss

碳化硅均流装置

碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE 关键词：碳化硅；功率器件；二极管；结型场效应晶体管；金氧半场效晶体管；绝缘栅双极型晶体管；门极可断晶闸管器件的研发也逐步从科研机构向企业转移。 0 引言功率器件本文将探讨碳化硅 (SiC) 作为功率半导体开关及其生态系统（尤其是栅极驱动器）的 ...2023年2月9日本实用新型提供一种MPCVD设备用气体均流装置，包括腔室，在所述腔室的顶部设有若干进气口；在腔室的底部设有若干出气口；并在所述腔室内部设有导流环，所述导流环被构置在水冷台的外侧，且所述进气口和所述出气口都设置在所述导流环的内侧。本实用新型一种MPCVD设备用气体均流装置，可 ...一种MPCVD设备用气体均流装置

【优品论文】---碳化硅mosfet并联均流的研究.doc

2018年4月18日的寄生电感小可以测高频率的电流。 3 利用上面所述搭建的平台，对SiC MOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。2024年4月15日以碳化硅为代表的新型电力电子大有可为碳化硅作为第三代半导体材料的代表，在双碳目标下其影响力不言而喻。有行业数据统计，电能在2025年前可超过煤炭成为最主要的终端用能方式，终端电气化率到2050年将达到50%，电能逐步占据核心地位。话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究-电子 ...

用于管道内使用的均流装置 - 百度学术

摘要：本发明公开一种用于管道内使用的均流装置,属于管道设备技术领域,均流装置包括,第一管体,内部同轴连接第二管体,第二管体内的进水端设置第一均流组件,出水端设置第二均流组件.第一管体两端内壁上设有第一连接板,第二管体两端设有与第一连接板位置对应的第二连接板,第一连接板与第二 ...2021年11月24日分类号：TN386单位代码：10058硕士学位论文论文题目：碳化硅MOSFET并联主动均流的研究学科专业：电气工程作者姓名：张永刚指导教师：宁平凡企业导师：孙连根完成日期：01年月日万方数据碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 道客巴巴

碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库

利用上面所述搭建的平台，对SiC MOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。2022年12月28日图6.加源极抑制电感和电阻之前(虚线)和加之后(实线)的均流特性变化图7.不同源极抑制电感和电阻(1Ω虚线)和(3Ω实线)的均流特性变化 4、总结基于以上TO247-4pin的SiC MOSFET两并联的仿真条件与结果，我们可以得到如下一些初步的结论(TO-247-3pin由于源极回路相对复杂，且看下期 “仿真看世界” 详细分解)：仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性 - 知乎

碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴

2015年8月26日碳化硅MOSFET并联均流的研究王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1（1浙江大学电气工程学院，杭州31007）摘要碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。本文对SiCMOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试 ...2022年4月24日这类碳化硅陶瓷多选择常压烧结制备，常压烧结碳化硅不同于反应烧结碳化硅，材料中没有游离硅的存在，其极限服役温度得到了提升。另外固相常压烧结碳化硅中通常会使用碳作为烧结助剂，这对材料的润滑性也有较大提升，延长了材料的使用寿命。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

碳化硅均热板 CERADIR 先进陶瓷在线

Coresic® SP碳化硅均热板采用等静压、高温烧结而成。可根据用户设计图纸要求进行孔，槽加工，与客户现有的加热板组合使用，起到进一步均匀温度场的作用。典型应用手机、平板显示器3D玻璃热弯成型机汽车终控显示屏3D玻璃热成型机非球面玻璃...2022年5月6日相比IGBT方案：每6个IGBT单管并联桥臂的上桥或者下桥，碳化硅方案芯片数量及总面积均减少。碳化硅是中高端、长续航车型结合性能与成本考虑的最佳选择。根据Yole统计，SiC器件价格需降至Si器件2.5 倍左右才能使电动汽车成本打平，渗透率才会加速【国信电子汽车半导体5月报】以电为轴，碳化硅按下“能量流 ...

【应用】短路能力优异的碳化硅限流装置（CLD）作为自 ...

2019年8月29日由碳化硅半导体制成的限流装置，可在端子电压超过7-10V时进行限流，适合于抗浪涌、雷击及过流保护应用 CALY Technologies的限流装置是一种由碳化硅（SiC）半导体制成的两端子元件，当端子电压超过一定的阀值（7V-10V）时进行限流，能够承受DO-160第22节和IEC/EN 61000-4-5所定义的电涌。利用上面所述搭建的平台，对SiC MOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库

锅炉烟风管道均流装置设计系统的应用 - 仁和软件

2014年6月23日针对目前的烟风管道模型，绘制了典型的均流装置物理模型构成模型图库，也作为均流装置设计系统的一部分。1.3 设计系统主体功能（1）从典型均流装置模型中选择合适的均流装置，并调整尺寸 [3]。（2）可随意调整均流装置在烟风管道中的位置 [4]。2019年6月21日本发明属于碳化硅冶炼过程中的烟气治理技术领域，尤其涉及一种碳化硅冶炼电阻炉专用集气装置及碳化硅冶炼系统。背景技术：碳化硅磨料是光伏新能源产业的重要原材料，一般以石英砂、石焦油、工业盐为原料在电阻炉内高温冶炼而成，在生产过程中各工序均存在较多的烟气排放，如对排放的 ...一种碳化硅冶炼电阻炉专用集气装置及碳化硅冶炼系统的 ...

SiC MOSFET单管的并联均流特性 - 亿伟世科技

2022年9月22日 3、并联动态均流仿真 SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。如图2所示，我们先分析下桥Q11和Q12在双脉冲开关过程中的动态均流特性及其影响因素：图2.下桥SiC双管并联的双脉冲电路 2019年6月11日本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 ...一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 - X技术网

盘式多孔板均流装置的研究 - 豆丁网

2016年4月8日盘式多孔板均流装置的研究研究,装置,多孔,均流装置的,多孔板,装置的,多孔均流,流装置的,装置均流, 均流装置文档格式：.doc 文档大小： 23.5K 文档页数： 7 页顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度：文档分类：研究报告 ...2024年1月27日 5.根据权利要求1所述的一种节能环保的锅炉均流装置，其特征在于：所述均流板(51) 等间距分布于固定块(52)的外壁，且均流板(51)的外壁与装置主体(1)的内壁之间为焊接连接。 6.根据权利要求1所述的一种节能环保的锅炉均流装置，其特征在于：所述连接结构一种节能环保的锅炉均流装置.pdf 10页 VIP - 原创力文档

盘式多孔板均流装置的研究 - 豆丁网

2016年4月8日盘式多孔板均流装置的研究研究,装置,多孔,均流装置的,多孔板,装置的,多孔均流,流装置的,装置均流, 均流装置文档格式：.doc 文档大小： 23.5K 文档页数： 7 页顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度：文档分类：研究报告 ...2024年1月27日 5.根据权利要求1所述的一种节能环保的锅炉均流装置，其特征在于：所述均流板(51) 等间距分布于固定块(52)的外壁，且均流板(51)的外壁与装置主体(1)的内壁之间为焊接连接。 6.根据权利要求1所述的一种节能环保的锅炉均流装置，其特征在于：所述连接结构一种节能环保的锅炉均流装置.pdf 10页 VIP - 原创力文档

一种碳化硅的水力溢流分级装置-CN218078362U - 专利顾如 ...

2022年7月20日 1.一种碳化硅的水力溢流分级装置，包括主体(1)，所述主体(1)的顶部固定设置有进料管(2)，其特征在于，所述主体(1)的两侧内壁均开有多个安装插槽(10)，且安装插槽(10)的内壁插接有安装插板(11)，位于同一水平面的两个安装插板(11)的相对一面固定连接有同一个过滤框(6)，所述过滤框(6)的一端设置有 ...2024年6月21日巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置武乡项目燃烧器碳化硅点火器东锅配东兴燃烧器碳化硅流化床风帽 1 2 3 下一页末页上春仪定制中心燃烧器配件燃烧器碳化硅喷嘴燃烧器碳化硅喷嘴体燃烧器碳化硅浓缩器燃烧器碳化硅稳焰齿扩锥燃烧器碳化硅 ...燃烧器喷嘴,燃烧器碳化硅浓缩器,碳化硅耐磨弯头价格,碳化硅 ...

碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 豆丁网

2014年8月12日同轴电阻的寄生电感较小，可以测试较高频率的电流。均流测试与分析利用上面所述搭建的平台，对SiCMOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置 2022-02-10T07:02:45+00:00 一种新型碳化硅材料均流装置的制作方法 1本实用新型属于均流装置技术领域，具体涉及一种新型碳化硅材料均流装置。背景技术： 2目前国内现有的一次风管道均流装置一般采用 ...碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置

基于SiC MOSFET的多芯片并联功率模块不均流研究 - 百度学术

针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(silicon carbide) MOSFET的并联不均流进行了研究.理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联不2022年7月23日碳化硅MOSFET并联均流的研究星级： 5 页串联碳化硅MOSFET建模及驱动技术研究的中期报告.docx ... 一种新型的地质矿产勘查用取样装置 16 p. 2022年学习《推动党史学习教育常态化长效化意见》心得体会5 ...碳化硅MOSFET建模与开关振铃抑制方法研究 - 道客巴巴

布置均流装置的烟道烟气三维流场模拟*

2016年12月20日布置均流装置的烟道烟气三维流场模拟 * 常建忠 1) 刘汉涛 2) 尉庆国 3) 摘要为优化烟气流场，在尾部烟道设置了均流装置，将烟气视为连续相，采用 k-ε RNG湍流模型，将飞灰相视为分散相，采用离散相模型，飞灰颗粒与烟气之间进行双向耦合，烟气深度余热回收装置采用多孔介质模型，对烟气两相 ...

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